EUV光刻机的技术难点主要包括三大方面：曝光工具、掩膜和光刻胶，其中曝光工具包括EUV光源和光学系统；掩膜类似胶片相机的底片。
EUV光源透过掩膜，形成图案化的EUV光线，然后落到晶圆上；晶圆上涂有称为光刻胶的光敏化学物质，光刻胶遇到EUV会起化学反应，可以用来蚀刻晶圆。
在曝光工具反面，ASET需要开发的不仅仅包括光源和光学系统，也包括其他很重要的部分，比如晶圆和掩膜的...
EUV光刻机的技术难点主要包括三大方面：曝光工具、掩膜和光刻胶，其中曝光工具包括EUV光源和光学系统；掩膜类似胶片相机的底片。
EUV光源透过掩膜，形成图案化的EUV光线，然后落到晶圆上；晶圆上涂有称为光刻胶的光敏化学物质，光刻胶遇到EUV会起化学反应，可以用来蚀刻晶圆。
在曝光工具反面，ASET需要开发的不仅仅包括光源和光学系统，也包括其他很重要的部分，比如晶圆和掩膜的...